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信息存储应用技术
  • 用于NAND存储器操作的架构和方法与流程
    闪速存储器件近来经历了快速发展。闪速存储器件能够在不施加电压的情况下在长时间段内保持所存储的数据。此外,闪速存储器件的读取速率相对较高,以及易于擦除闪速存储器件中的存储的数据和在闪速存储器件中重写数据。因此,闪速存储器件被广泛地用于微型计算机、自动化控制系统等中。为了增加闪速存储器件的位密...
  • 掺杂稀土的金属氧化物陶瓷波导量子存储器及其制造方法与流程
    背景相关申请的交叉参考本申请根据35u.s.c.§119要求2018年9月24日提交的系列号为62/735400的美国临时申请的优先权权益,本文以该申请的内容为基础并将其通过引用全文纳入本文。本公开涉及掺杂稀土的金属氧化物陶瓷波导量子存储器。在光量子信息处理中,量子存储装置能够使光子和原子...
  • 双功率I/O接收器的制作方法
    相关申请的交叉引用本申请要求于2018年9月29日提交的标题为“dualpoweri/oreceiver(双功率i/o接收器)”的第16/147,635号美国专利申请的优先权,其通过引用整体并入本文。下一代存储器,诸如双倍数据速率(ddr)技术(例如,lp4x、ddr5、lp5等)专用于较...
  • 铁电半导体器件和用于制造存储器单元的方法与流程
    根据本发明的实施例涉及铁电半导体器件和用于制造存储器单元的方法。集成电路中使用的存储器单元可以根据易失性和非易失性原则划分。作为易失性元件,将提及动态随机存取存储器(dram)。动态随机存取存储器具有快速的切换行为,并且可以以非常大的密度制造。然而,明显的缺点是信息不能永久存储,因此例如在...
  • 存储器时序参数的动态配置的制作方法
    存储器和相应的存储器控制器之间的信令由根据相应的信令协议规定的各种时序参数决定。在常规处理系统中,在初始系统配置期间(即,在启动期间)使用存储器时序参数的集合的固定值对存储器控制器编程,并且对于所有后续存储器存取操作,存储器控制器将这些相同的固定值用于存储器时序参数。固定或默认的存储器时序...
  • 半导体器件的制作方法
    相关申请的交叉引用本申请要求于2019年10月30日提交的申请号为no.10-2019-0136530的韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用合并于此。本公开的实施例涉及半导体器件,并且更具体地,涉及提供测试模式的半导体器件,在所述测试模式中实行用于数据所包括的位的压缩测试。就诸如动态随...
  • 一种EFUSE阵列结构及其编程方法和读方法与流程
    本发明涉及半导体集成电路领域,特别涉及一种efuse(电可编程熔丝)阵列结构及其编程方法和读方法。efuse存储类芯片的主要功能是存储芯片的版本号、生产日期、微调代码(trimmingcode)以及其他信息。随着5g和物联网的发展,芯片的种类越来越多,这对efuse存储芯片的容量提出更高的...
  • 使用环境参数来进行编程脉冲控制的制作方法
    本公开的实施例大体上涉及存储器子系统,且更具体地说,涉及使用环境参数来进行编程脉冲控制。存储器子系统可为存储装置、存储器模块,以及存储装置和存储器模块的混合。存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器组件。存储器组件可为例如非易失性存储器组件和易失性存储器组件。一般来说,主机系统可利用存储...
  • 用以提高固态驱动器的操作速度的NAND接口设备的制作方法
    本发明大体上涉及一种固态驱动器,并且更具体地涉及一种用于实现用以提高固态驱动器的操作速度的nand接口设备的方法和/或装置。固态驱动器(ssd)是一种计算机存储介质,与硬盘驱动器相比,这些固态驱动器具有增强的性能和降低的功耗。固态驱动器(ssd)通常由闪速控制器组成,闪速控制器与几个nan...
  • 半导体存储装置的制作方法
    [相关申请]本申请享有以日本专利申请2019-196382号(申请日:2019年10月29日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。实施方式涉及一种半导体存储装置。已知有能够非易失地存储数据的nand(notand,与非)型闪存。发明内容实施方式提供一种能够...
  • 集成电路的制作方法
    本发明是有关于一种集成电路及其运算方法,且特别是有关于一种存储器电路。在以范纽曼型架构(vonneumannarchitecture)设计出的计算器中,数据存储单元与数据处理单元彼此分离。数据必须经由输入/输出端口(input/output,i/o)与总线(bus)而在数据存储单元与数据处...
  • 一种阻变存储器的故障测试方法与流程
    本发明涉及新型存储芯片rram测试,具体涉及一种阻变存储器的故障测试方法。阻变存储器作为一种新型的存储器,具备存储密度高、功耗低、读写速度快、数据保持时间长的特点,具有很大的应用前景和研究价值。基于阻变存储器的故障测试方法也是目前研究工作的重点,阻变存储器存储单元的故障类型主要包括...
  • 脉冲神经网络的忆阻器交叉开关阵列实施方案中的脉冲检测的制作方法
    本文中公开的至少一些实施例通常涉及人工神经网络,更具体地,但不限于,脉冲神经网络的忆阻器交叉开关阵列实施方案。通常,人工神经网络(ann)使用人工神经元网络来处理到网络的输入并从网络生成输出。例如,网络中的每个神经元接收一组输入。到神经元的一些输入可以是网络中某些神经元的输出;并且到神经元...
  • 相变存储器设备编程的方法、相变存储器设备和电子系统与流程
    相关申请的交叉引用本申请要求于2019年10月29日提交的申请号为102019000019976的意大利申请的权益,该申请的内容在此通过引用并入本文。本发明涉及用于对差分型相变存储器设备进行编程的方法、相变存储器设备和包括相变存储器设备的电子系统。相变非易失性存储器(所谓的“相变存储器”p...
  • 半导体器件的制作方法
    相关申请的交叉引用本申请要求于2019年10月30日提交韩国常识产权局的韩国专利申请第10-2019-0136531号的优先权,其整体内容通过引用合并于此。本公开的实施方式涉及与分频内部时钟同步地输出数据的半导体器件。通常,包括ddrsdram(双倍数据率同步dram)的半导体器件根据从外...
  • 包括具有多种金属材料的字线的设备和系统以及相关方法与流程
    优先权主张本申请案主张2019年10月29日申请的标题为“包括具有多种金属材料的字线的设备以及相关方法和电子系统(apparatuscomprisingwordlinescomprisingmultiplemetalmaterials,andrelatedmethodsandelectronics...
  • 存储器装置的制作方法
    本申请要求于2019年10月30日在韩国常识产权局提交的第10-2019-0136697号韩国专利申请的优先权,所述韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。在此描述的发明构思的实施例涉及存储器装置,更具体地,涉及基于操作温度调节操作周期的存储器装置。随着半导体技术的发展,在电子系统中使用的...
  • 存储器器件的制作方法
    本发明的实施例涉及存储器器件。诸如磁性随机存取存储器(mram)、相变随机存取存储器(pram)、电阻随机存取存储器(rram)等基于电阻的存储器器件(reram)可以通过对其包含的单元的电阻进行编程来存储数据。在磁随机存取存储器的常规读取操作中,一种方法是将电流从感测放大器传递到磁阻元件...
  • 字线驱动装置的制作方法
    在本发明的实施例中阐述的技术大体来说涉及存储器装置,且更具体来说,涉及存储器装置的字线驱动装置。在存储器装置中,字线可耦合到存储阵列中的多个存储单元。存储单元中的每一个由对应位线bl耦合。因为多个存储单元与字线耦合,所以字线的线长可较长,这导致字线具有较高寄生电阻和电容,即字线的rc延迟较...
  • 存储器器件及其形成方法和存储器单元与流程
    本申请的实施例涉及存储器器件及其形成方法和存储器单元。存储器器件用于在半导体器件和系统中存储信息。非易失性存储器器件即使在断电后也能够保留数据。非易失性存储器器件的实例包括闪存、铁电随机存取存储器(fram)、磁随机存取存储器(mram)、电阻式随机存取存储器(rram)和相变存储器(pc...
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