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字线驱动装置的制作方法

文档序号:24933995发布日期:2021-05-04 11:24
字线驱动装置的制作方法

在本发明的实施例中阐述的技术大体来说涉及存储器装置,且更具体来说,涉及存储器装置的字线驱动装置。



背景技术:

在存储器装置中,字线可耦合到存储阵列中的多个存储单元。存储单元中的每一个由对应位线bl耦合。因为多个存储单元与字线耦合,所以字线的线长可较长,这导致字线具有较高寄生电阻和电容,即字线的rc延迟较高。当选择字线以对耦合到存储单元中的每一个的多个晶体管进行充电时,由于字线中的较高寄生电阻和电容,对所有晶体管进行充电可能耗费更多时间。

因此,需要设计一种在存储器装置中具有最少rc延迟的字线驱动装置。



技术实现要素:

本发明实施例提供一种存储器装置的字线驱动装置,包括:字线,安置在第一金属层上,其中所述字线连接到存储阵列中的多个存储单元;字线驱动器,耦合到所述字线的第一节点;以及导电线,安置在第二金属层上,其中所述字线的所述第一节点耦合到所述导电线的第一节点,且所述字线的第二节点耦合到所述导电线的第二节点,其中所述第二金属层相对于所述存储器装置中的多个晶体管的距离大于所述第一金属层相对于所述存储器装置中的所述多个晶体管的距离。

附图说明

在结合附图阅读时,根据以下详细描述最好地理解本公开的各方面。应注意,根据行业中的标准惯例,各种特征未按比例绘制。实际上,为了论述清楚起见,可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1a示出根据本公开的示范性实施例的存储器装置的字线驱动装置的框图。

图1b示出根据本公开的示范性实施例的存储器装置中的存储单元。

图2示出根据本公开的示范性实施例的存储器装置的布局。

图3示出根据本公开的示范性实施例的存储器装置的字线驱动装置的示意图。

图4示出根据本公开的示范性实施例的存储器装置的字线驱动装置的框图。

图5示出根据本公开的示范性实施例的存储器装置的字线驱动装置的示意图。

图6示出根据本公开的示范性实施例的存储器装置的字线驱动装置的框图。

图7示出根据本公开的示范性实施例的存储器装置的字线驱动装置的示意图。

图8示出了示出根据一些实施例的存储器装置的字线驱动装置中的rc延迟的图式。

具体实施方式

以下公开内容提供用于实施本公开的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件和布置的特定实例来简化本公开。当然,这些特定实例只是实例且并不意图为限制性的。举例来说,在以下描述中,第一特征在第二特征上方或第二特征上形成可包含第一特征与第二特征直接接触地形成的实施例,且还可包含可在第一特征与第二特征之间形成额外特征以使得第一特征与第二特征可以不直接接触的实施例。另外,本公开可在各种实例中重复附图标号和/或字母。此重复是出于简化和清楚的目的,且本身并不规定所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。

此外,为了易于描述,本文中可使用如“在……之下”、“在……下方”、“下部”、“在……上方”、“上部”以及类似术语的空间相对术语,以描述如图中所示出的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。除图中所描绘的定向以外,空间相对术语意图涵盖装置在使用或操作中的不同定向。设备可以其它方式定向(旋转90度或处于其它定向),且本文中所使用的空间相对描述词因此可相应地进行说明。

图1a示出根据本公开的示范性实施例的存储器装置的字线驱动装置的框图。存储器装置100的字线驱动装置包含字线驱动器110、功率晶体管120以及多个存储单元130。字线驱动器110配置成驱动存储器装置100的存储阵列中的多个存储单元130。存储单元130通过字线wl耦合到字线驱动器110。

在一个实施例中,耦合到字线wl的存储单元130的数量是n,即存储单元130包含存储单元mc1到存储单元mcn,其中n是正整数值。举一实例,图1a中示出存储单元mc1、存储单元mc2以及存储单元mcn。

在一些实施例中,耦合到字线wl的存储单元130的数量是1152。具体来说,存储单元130包含存储单元mc1(即n=1)到存储单元mc1152(即n=1152)。存储单元130的数量在本公开中不受限制。

在一个实例中,字线wl包含字线wl的前端节点wln1(即第一节点)和字线wl的末端节点wln2(即第二节点),且导电线cl安置在字线wl的前端节点wln1与末端节点wln2之间。应注意,导电线cl的等效电阻小于字线wl的等效电阻。字线wl的前端节点wln1位于存储单元mc1处或接近于存储单元mc1,且字线wl的末端节点wln2位于存储单元mc1152处或接近于存储单元mc1152。字线wl连接到存储阵列中的多个存储单元。举一实例,存储阵列的存储单元中的一行连接到存储器装置中的多个字线wl中的一个字线wl。

存储单元130中的每一个与字线wl和对应位线bl耦合。详细地说,对应于存储单元mc1的位线是位线bl1,对应于存储单元mc2的位线是位线bl2,且对应于存储单元mcn的位线是位线bln。

功率晶体管120是cmos晶体管。功率晶体管120包含源极端子、漏极端子以及控制端子。源极端子耦合到存储器装置100的电源供应器。控制端子耦合到输入端子。详细地说,功率晶体管120的控制配置成接收输入vin以启动字线驱动器110。漏极端子耦合到字线驱动器110。

图1b示出根据本公开的示范性实施例的存储器装置中的存储单元。参考图1b,存储单元130中的一个存储单元mcn包含存取晶体管121和电容器131。存取晶体管131是cmos晶体管。

在一个实施例中,存取晶体管131是n型晶体管。

在一些实施例中,存取晶体管131是p型晶体管,因此存取晶体管131的类型在本公开中不受限制。

参考图1a,功率晶体管120将系统功率提供到字线驱动器110。在这个实施例中,功率晶体管120是pmos晶体管。功率晶体管120包含源极端子、漏极端子以及控制端子。源极端子耦合到电源供应器vdd,漏极端子耦合到字线驱动器110,且控制端子接收控制信号vin以接通功率晶体管120。

通过使用耦合在字线的前端节点与末端节点之间的具有低等效电阻的导电线,可从字线的近侧和远侧两者对字线进行充电。通过字线驱动器,进而减少存储器装置的rc延迟,且对应地减少存储器装置的读取时间。

图2示出根据本公开的示范性实施例的存储器装置的布局。存储器装置200包含多个金属层。详细地说,多个金属层包含金属层m0到金属层m7。

在存储器装置中,金属层m0到金属层m4是分离金属层。应注意,分离金属层用以使金属彼此分离。

参考图1a、图1b以及图2,多个位线bl安置在金属层m6上,字线wl安置在金属层m1上,且导电线cl安置在金属层m7上。因此,金属层m1上的字线wl可能并不容易干扰金属层m7上的导电线cl。

金属层m1与金属层m7通过多个穿孔或多个衬垫连接。应注意,金属层m7相对于存储器装置200中的多个晶体管的距离大于金属层m1相对于存储器装置200中的多个晶体管的距离。因为存储单元不直接连接到金属层m7,所以与金属层m7的导电线cl的等效电阻也称为金属层m7的寄生电阻,与金属层m1的等效电阻相比更小。

图3示出根据本公开的示范性实施例的存储器装置的字线驱动装置的示意图。存储器装置300的字线驱动装置包含字线驱动器310、功率晶体管320以及多个存储单元330。

参考图1a、图1b以及图3,字线驱动器310、功率晶体管320以及存储单元330分别类似于字线驱动器110、功率晶体管120以及多个存储单元130。图3使用电容的标记来呈现存储单元330的位置。

字线驱动器310配置成驱动存储器装置300的存储阵列中的存储单元330。存储单元330通过字线wl耦合到字线驱动器310。耦合到字线wl的存储单元330的数量是1152。

参考图1a和图3,字线驱动器310包含字线wl的前端节点(即第一节点)和字线wl的末端节点wln2(即第二节点),且导电线cl安置在前端节点wln1与末端节点wln2之间。字线wl的前端节点wln1位于存储单元mc1处或接近于存储单元mc1,且字线wl的末端节点wln2位于存储单元mc1152处或接近于存储单元mc1152。

参考图3,字线wl安置在存储器装置200的第一金属层上,且导电线cl安置在存储器装置200的第二金属层上。导电线cl包含前端节点cln1和末端节点cln2。应注意,导电线cl的前端节点cln1耦合到字线wl的前端节点wln1。类似地,导电线cl的末端节点cln2耦合到字线wl的末端节点wln2。

参考图2和图3,多个位线bl安置在金属层m6上,且图3的字线wl安置在图2的金属层m1上,且图3的导电线cl安置在图2的金属层m7上。

存储器装置中的第一金属层是半导体工艺中的金属层m1,且存储器装置中的第二金属层是半导体工艺中的金属层m7。应注意,第二金属层相对于存储器装置中的多个晶体管的距离大于第一金属层相对于存储器装置中的多个晶体管的距离。

存储单元330中的每一个与字线wl和对应位线bl耦合。应注意,由字线驱动器310驱动字线wl的前端节点wln1。

通过使用在字线的前端节点与末端节点之间耦合有低等效电阻的导电线,可由字线驱动器从字线wl的近侧和远侧两者对字线进行充电,进而减少存储器装置的rc延迟,且对应地减少存储器装置的读取时间。

图4示出根据本公开的示范性实施例的存储器装置的字线驱动装置的框图。存储器装置400的字线驱动装置包含多个字线驱动器410、功率晶体管420以及多个存储单元430。

字线驱动器410包含字线驱动器410-1和字线驱动器410-2。字线驱动器410配置成驱动存储器装置400的存储阵列中的多个存储单元430。存储单元430通过字线wl耦合到字线驱动器410。

在一个实施例中,耦合到字线wl的存储单元430的数量是n,其中n是正整数值。

在一些实施例中,耦合到字线wl的存储单元430的数量是1152。具体来说,存储单元430包含存储单元mc1(即n=1)到存储单元mc1152(即n=1152)。

字线wl包含字线wl1的前端节点wln1(即第一节点)和字线wl的末端节点wln2(即第二节点)。

字线驱动器410-1耦合到字线wl的前端节点wln1,且字线驱动器410-2耦合到字线wl的末端节点wln2。字线驱动器410-1和字线驱动器410-2同时驱动字线wl。

类似地,导电线cl的前端节点cln1耦合到字线驱动器410-1,且导电线cl的末端节点cln2耦合到字线驱动器410-2。应注意,导电线cl的前端节点cln1耦合到字线wl的前端节点wln1。类似地,导电线cl的末端节点cln2耦合到字线wl的末端节点wln2。

字线wl的前端节点wln1位于多个存储单元430当中的存储单元mc1处或接近于所述存储单元mc1,且字线wl的末端节点wln2位于多个存储单元430当中的存储单元mc1152处或接近于所述存储单元mc1152。存储单元430中的每一个与字线wl和对应位线bl耦合。换句话说,对应于存储单元mc1的位线是位线bl1,且对应于存储单元mcn的位线是位线bln。

在所述实施例中,功率晶体管420是cmos晶体管。功率晶体管420包含源极端子、漏极端子以及控制端子。源极端子耦合到存储器装置400的电源供应器。控制端子耦合到输入端子。详细地说,功率晶体管420的控制配置成接收输入vin以启动字线驱动器410。漏极端子耦合到字线驱动器410-1和字线驱动器410-2。具体来说,功率晶体管420的漏极端子耦合到导电线cl的前端节点cln1。

参考图1b和图4,存储单元430的一个存储单元mcn包含存取晶体管121和电容器131。存取晶体管131是cmos晶体管。

通过使用连接到字线和导电线的两侧的多个字线驱动器,可从字线的近侧和远侧两者对字线进行充电,进而进一步减少rc延迟。

图5示出根据本公开的示范性实施例的存储器装置的字线驱动装置的示意图。存储器装置500的字线驱动装置包含多个字线驱动器510、功率晶体管520以及多个存储单元530。

参考图4、图5以及图1b,字线驱动器510、功率晶体管520以及存储单元530分别类似于多个字线驱动器410、功率晶体管420以及多个存储单元430。

字线驱动器510包含字线驱动器510-1和字线驱动器510-2。字线驱动器510配置成驱动存储器装置500的存储阵列中的存储单元530。存储单元530通过字线wl耦合到字线驱动器510。耦合到字线wl的存储单元530的数量是1152。

参考图4和图5,字线驱动器510包含字线wl的前端节点wln1(即第一节点)和字线wl的末端节点wln2(即第二节点),且导电线cl安置在前端节点wln1与末端节点wln2之间。字线wl的前端节点wln1位于存储单元mc1处或接近于存储单元mc1,且字线wl的末端节点wln2位于存储单元mc1152处或接近于存储单元mc1152。

参考图3和图5,图5的字线wl安置在存储器装置500的第一金属层上,且图5的导电线cl安置在存储器装置500的第二金属层上。导电线cl包含前端节点cln1和末端节点cln2。应注意,导电线cl的前端节点cln1通过字线驱动器510-1近似耦合到字线wl的前端节点wln1。类似地,导电线cl的末端节点cln2通过字线驱动器510-2近似耦合到字线wl的末端节点wln2。

参考图2和图5,多个位线bl安置在金属层m6上,图5的字线wl安置在图2的金属层m1上,且图5的导电线cl安置在图2的金属层m7上。

字线驱动器510-1耦合到字线wl的前端节点wln1,且字线驱动器510-2耦合到字线wl的末端节点。字线驱动器510-1和字线驱动器510-2同时驱动字线wl。

类似地,导电线cl的前端节点cln1耦合到字线驱动器510-1,且导电线cl的末端节点cln2耦合到字线驱动器510-2。应注意,导电线cl的前端节点cln1耦合到字线wl的前端节点wln1。类似地,导电线cl的末端节点cln2耦合到字线wl的末端节点wln2。

字线wl的前端节点wln1位于存储单元mc1处或接近于存储单元mc1,且字线wl的末端节点wln2位于存储单元mc1152处或接近于存储单元mc1152。

功率晶体管520是cmos晶体管。功率晶体管520包含源极端子、漏极端子以及控制端子。源极端子耦合到存储器装置500的电源供应器。控制端子耦合到输入端子。详细地说,功率晶体管520的控制配置成接收输入vin以启动字线驱动器510。漏极端子耦合到字线驱动器510-1。具体来说,功率晶体管520的漏极端子耦合到导电线cl的前端节点cln1。

存储器装置中的第一金属层是半导体工艺中的金属层m1,且存储器装置中的第二金属层是半导体工艺中的金属层m7。

应注意,第二金属层相对于存储器装置中的多个晶体管的距离大于第一金属层相对于存储器装置中的多个晶体管的距离。

通过使用连接到字线和导电线的两侧的多个字线驱动器,可由字线驱动器从近侧和远侧两者对字线进行充电,进而在存储器装置中进一步减少rc延迟。

图6示出根据本公开的示范性实施例的存储器装置的字线驱动装置的框图。存储器装置600的字线驱动装置包含多个字线驱动器610、功率晶体管620以及多个存储单元630。

字线驱动器610包含字线驱动器610-1和字线驱动器610-2。字线驱动器610配置成驱动存储器装置600的存储阵列中的多个存储单元630。存储单元630通过多个字线wl耦合到字线驱动器610。

在一个实施例中,耦合到字线wl的存储单元630的数量是m和n,其中m和n中的一个是正整数值。

在一些实施例中,耦合到字线wl的存储单元630的数量是1152。字线wl包含字线wl1和字线wl2。字线wl1包含前端节点wl1n1和末端节点wl1n2。类似地,字线wl2包含前端节点wl2n1和末端节点wl2n2。具体来说,n数量个存储单元630耦合到字线wl1,且m数量个存储单元630耦合到字线wl2。

导电线cl包含前端节点cln1和末端节点cln2。导电线cl的前端节点cln1耦合到字线驱动器610-1,且导电线cl的末端节点cln2耦合到字线驱动器610-2。应注意,导电线cl的前端节点cln1通过字线驱动器610-1近似耦合到字线wl1的前端节点wl1n1。类似地,导电线cl的末端节点cln2通过字线驱动器610-2近似耦合到字线wl1的末端节点wl1n2。换句话说,字线wl1耦合到存储阵列中的多个存储单元630的第一半部。字线wl2耦合到存储阵列中的存储单元630的后半部。

字线驱动器610-1耦合到字线wl1的前端节点wl1n1。字线驱动器610-2耦合在字线wl1的末端节点wl1n2与字线wl2的前端节点wl2n1之间。

在一些实施例中,字线wl1的前端节点wl1n1位于多个存储单元630当中的存储单元mc1处,且字线wl1的末端节点wl1n2位于多个存储单元630当中的存储单元mcn处。类似地,字线wl2的前端节点wl2n1位于多个存储单元630当中的存储单元mcn+1处,且字线wl2的末端节点wl2n2位于存储单元mcn+m处,其中m和n是正整数值。因此,字线wl对应于存储单元630的连接配置在本公开中不受限制。

参考图1b,存储单元630中的一个存储单元mcn和一个存储单元mcm包含存取晶体管121和电容器131。存取晶体管131是cmos晶体管。

功率晶体管620是cmos晶体管。功率晶体管620包含源极端子、漏极端子以及控制端子。源极端子耦合到存储器装置600的电源供应器。控制端子耦合到输入端子。详细地说,功率晶体管620的控制配置成接收输入vin以启动字线驱动器610。漏极端子耦合到字线驱动器610-1和字线驱动器610-2。具体来说,功率晶体管620的漏极端子耦合到导电线cl的前端节点cln1。

通过使用安置在存储单元中间的多个字线驱动器和安置在第二金属层上的导电线,连接两个字线驱动器且将系统功率提供到两个字线驱动器。因此,可由字线驱动器610-1从近端和远端两者对字线wl1进行充电,且可由存储器装置中的字线驱动器610-2对字线的另一半(字线wl2)进行充电,进而进一步减少存储器装置的rc延迟。

图7示出根据本公开的示范性实施例的存储器装置的字线驱动装置的示意图。存储器装置700的字线驱动装置包含多个字线驱动器710、功率晶体管720以及多个存储单元730。

参考图7和图1b,字线驱动器710、功率晶体管720以及存储单元730分别类似于多个字线驱动器610、功率晶体管620以及多个存储单元630。

存储单元730包含存储单元的第一半部和存储单元的第二半部,所述第二半部也称为存储单元的后半部。

字线驱动器710包含字线驱动器710-1和字线驱动器710-2。字线驱动器710配置成驱动存储器装置700的存储阵列中的多个存储单元730。存储单元730通过多个字线wl耦合到字线驱动器710。耦合到字线wl的存储单元730的数量是1152。字线驱动器710-1连接到存储单元的第一半部,且字线驱动器710-2连接到存储单元的第二半部。

字线wl包含字线wl1和字线wl2。字线wl1包含前端节点wl1n1和末端节点wl1n2。类似地,字线wl2包含前端节点wl2n1和末端节点wl2n2。具体来说,n数量个存储单元730耦合到字线wl1,且m数量个存储单元730耦合到字线wl2。

字线wl1耦合到存储阵列中的多个存储单元730的第一半部。字线wl2耦合到存储阵列中的存储单元730的后半部。

字线驱动器710-1耦合到字线wl1的前端节点wl1n1。字线驱动器710-2耦合在字线wl1的末端节点wl1n2与字线wl2的前端节点wl2n1之间。

耦合到字线wl的存储单元730的数量是1152。字线wl1的前端节点wl1n1耦合到存储单元mc1,且字线wl1的末端节点wl1n2耦合到存储单元mc576。类似地,字线wl2的前端节点wl2n1耦合到存储单元mc577,且字线wl2的末端节点wl2n2耦合到存储单元mc1152。存储单元730中的每一个与多个位线bl耦合。

参考图2和图7,图7的字线安置在存储器装置700的第一金属层m1上,且图7的导电线cl安置在存储器装置700的第二金属层m2上。详细地说,字线wl1和字线wl2两者都安置在存储器装置700的第一金属层m1上。

导电线cl包含前端节点cln1和末端节点cln2。导电线cl的前端节点cln1耦合到字线驱动器710-1,且导电线cl的末端节点cln2耦合到字线驱动器710-2。应注意,导电线cl的前端节点cln1通过字线驱动器710-1近似耦合到字线wl1的前端节点wl1n1。类似地,导电线cl的末端节点cln2通过字线驱动器710-2近似耦合到字线wl1的末端节点wl1n2。

参考图2和图7,多个位线bl安置在图2的金属层m6上,图7的字线安置在图2的金属层m1上,且图7的导电线cl安置在图2的金属层m7上。

导电线cl连接字线驱动器710-1的功率节点与字线驱动器710-2的功率节点,以用于将系统功率提供到字线驱动器710-1和字线驱动器710-2。

功率晶体管720是cmos晶体管。功率晶体管720包含源极端子、漏极端子以及控制端子。源极端子耦合到存储器装置700的电源供应器。控制端子耦合到输入端子。详细地说,功率晶体管720的控制配置成接收输入vin以启动字线驱动器710。漏极端子耦合到字线驱动器710-1和字线驱动器710-2。具体来说,功率晶体管720的漏极端子耦合到导电线cl的前端节点cln1。

存储器装置中的第一金属层是半导体工艺中的金属层m1,且存储器装置中的第二金属层是半导体工艺中的金属层m7。

应注意,第二金属层相对于存储器装置中的多个晶体管的距离大于第一金属层相对于存储器装置中的多个晶体管的距离。

通过使用安置在存储单元中间的多个字线驱动器和安置在第二金属层上的导电线,连接两个字线驱动器且将系统功率提供到两个字线驱动器。因此,可由字线驱动器710-1从近端和远端两者对字线wl1进行充电,且可由存储器装置中的字线驱动器710-2对字线的另一半(字线wl2)进行充电,进而进一步减少存储器装置的rc延迟。

图8示出了示出根据一些实施例的存储器装置的字线驱动装置中的rc延迟的图式。图8中所绘示的图式的水平轴示出存储器装置的存储阵列中的存储单元位置,且图8中所绘示的图式的竖直轴示出字线上升时间。图8绘示曲线811、曲线812、曲线813、曲线814以及曲线815。曲线811指示不使用导电线的存储器装置的字线驱动装置。曲线812示出根据图1a和图3中所示的示范性实施例的存储器装置的字线驱动装置。曲线813示出根据图4和图5中所示的示范性实施例的存储器装置的字线驱动装置。曲线814和曲线815是示出根据图6和图7中所示的示范性实施例的存储器装置的字线驱动装置的曲线。曲线811指示与曲线812、曲线813、曲线814以及曲线815相比,不使用导电线的字线的上升时间由于字线中的高rc延迟而增加充电时间。应注意,rc延迟随存储单元的位置对应地增加而增加。

根据一些实施例,本公开提供一种存储器装置的字线驱动装置。存储器装置的字线驱动装置包含字线、字线驱动器以及导电线。字线安置在第一金属层上。字线连接到存储阵列中的多个存储单元。字线驱动器耦合到字线的第一节点。导电线安置在第二金属层上。字线的第一节点耦合到导电线的第一节点,且字线的第二节点耦合到导电线的第二节点。第二金属层相对于存储器装置中的多个晶体管的距离大于第一金属层相对于存储器装置中的多个晶体管的距离。

在相关实施例中,所述字线的所述第一节点位于所述多个存储单元当中的第一存储单元处,且所述字线的所述第二节点位于所述多个存储单元当中的最末存储单元处。

在相关实施例中,连接到所述字线的所述多个存储单元的数量是1152,所述字线的所述第一节点位于所述第一存储单元处,且所述字线的所述第二节点位于第1152个存储单元处。

在相关实施例中,所述字线的所述第一节点位于所述多个存储单元的第一半部当中的第一存储单元处,所述字线的所述第二节点位于所述多个存储单元的所述第一半部当中的最末存储单元处。

在相关实施例中,所述字线的所述第一节点与所述字线的所述第二节点之间的距离是位线的数量的一半

在相关实施例中,所述存储器装置的所述第一金属层是半导体工艺中的第一金属层,且所述存储器装置的所述第二金属层是所述半导体工艺中的第七金属层,其中所述半导体工艺中的第零金属层和第四金属层是分离金属层。

在相关实施例中,所述存储器装置包括:多个位线,安置在所述存储阵列中的所述多个存储单元上。

在相关实施例中,所述的字线驱动装置更包括:功率晶体管,将系统功率提供到所述字线驱动器。

根据一些实施例,本公开提供一种存储器装置的字线驱动装置。存储器装置的字线驱动装置包含字线、第一字线驱动器、第二字线驱动器以及导电线。字线安置在第一金属层上。字线连接到存储阵列中的多个存储单元。第一字线驱动器耦合到字线的第一节点。第二字线驱动器耦合到字线的第二节点。导电线安置在第二金属层上。导电线连接第一字线驱动器的功率节点与第二字线驱动器的功率节点,以用于将系统功率提供到第一字线驱动器和第二字线驱动器。第二金属层相对于存储器装置中的多个晶体管的距离大于第一金属层相对于存储器装置中的多个晶体管的距离。

在相关实施例中,所述字线的所述第一节点位于所述多个存储单元当中的第一存储单元处,且所述字线的所述第二节点位于所述多个存储单元当中的最末存储单元处。

在相关实施例中,所述字线的所述第一节点位于所述多个存储单元当中的第一存储单元处,且所述字线的所述第二节点位于所述多个存储单元当中的中间存储单元处。

在相关实施例中,所述第一字线驱动器和所述第二字线驱动器同时驱动所述字线。

在相关实施例中,所述的字线驱动装置更包括:功率晶体管,其中所述功率晶体管的一个节点耦合到所述导电线,所述功率晶体管的另一节点耦合到系统电压节点,所述功率晶体管将所述系统功率提供到所述第一字线驱动器和所述第二字线驱动器。

在相关实施例中,所述存储器装置的所述第一金属层是半导体工艺中的第一金属层,且所述存储器装置的所述第二金属层是所述半导体工艺中的第七金属层,其中所述半导体工艺中的第零金属层和第四金属层是分离金属层。

在相关实施例中,所述存储器装置包括:多个位线,安置在所述存储阵列中的所述多个存储单元上。

根据一些实施例,本公开提供一种存储器装置的字线驱动装置。存储器装置的字线驱动装置包含第一字线、第二字线、第一字线驱动器、第二字线驱动器以及导电线。第一字线安置在第一金属层上。第一字线连接到存储阵列中的多个存储单元的第一半部。第二字线安置在第一金属层上。第二字线连接到存储阵列中的多个存储单元的后半部。第一字线驱动器耦合到第一字线的第一节点。第二字线驱动器耦合在第一字线的第二节点与第二字线的第一节点之间。导电线安置在第二金属层上。导电线连接第一字线驱动器的功率节点与第二字线驱动器的功率节点,以用于将系统功率提供到第一字线驱动器和第二字线驱动器。第二金属层相对于存储器装置中的多个晶体管的距离大于第一金属层相对于存储器装置中的多个晶体管的距离。

在相关实施例中,所述多个存储单元的数量是1152,所述第一字线的所述第一节点位于第一存储单元处,所述第一字线的所述第二节点位于第576个存储单元处,所述第二字线的所述第一节点位于第577个存储单元处,且所述第二字线的第二节点位于第1152个存储单元处。

在相关实施例中,所述的字线驱动装置更包括:功率晶体管,其中所述功率晶体管的一个节点耦合到所述导电线,所述功率晶体管的另一节点耦合到系统电压节点,所述功率晶体管将所述系统功率提供到所述第一字线驱动器和所述第二字线驱动器。

在相关实施例中,其中所述存储器装置的所述第一金属层是半导体工艺中的第一金属层,且所述存储器装置的所述第二金属层是所述半导体工艺中的第七金属层,其中所述半导体工艺中的第零金属层和第四金属层是分离金属层。

在相关实施例中,所述存储器装置包括:多个位线,安置在所述存储阵列中的所述多个存储单元上。

前文已概述了若干实施例的特征以使得本领域的技术人员可以更好地理解以下详细描述。本领域的技术人员应了解,其可易于将本公开用作设计或修改用于实施本文中所引入实施例的相同目的和/或实现相同优势的其它工艺和结构的基础。本领域的技术人员还应认识到,这类等效构造并不脱离本公开的精神和范围,且本领域的技术人员可在不脱离本公开的精神和范围的情况下在本文中做出各种改变、替代以及更改。

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