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信息存储应用技术
  • 光盘装置的制作方法
    .本发明涉及一种用于在光盘上记录数据以及从光盘再生数据的光盘装置,以及一种光学地记录数据的光盘。.当前,诸如dvd和蓝光(注册商标)盘(在下文中被缩写为“bd”)之类的多种光盘被用作用于存储视频、数据等的信息记录介质。从数据存储的空间效率的观点来看,在不提高光盘成本的情况下增加单位体积的记...
  • 存储器装置中的选择性压缩电路系统的制作方法
    本公开的实施例大体上涉及测试存储器装置中的存储器核心或单元。更具体地,本公开的实施例涉及选择性地压缩存储器装置中的数据线。存储器装置(例如同步动态随机存取存储器(sdram)装置)可包含越来越密集的存储器单元。在制造过程期间,可测试存储器装置以验证存储器装置的恰当操作。如果识别到存储器装置...
  • 选择性控制时钟传输到数据(DQ)系统的制作方法
    本文中描述的实施例大体涉及存储器装置的领域。更特定来说,当前实施例包含用于存储器装置中的命令同步的一或多个系统、装置及方法。此段落希翼向读者先容可能与本发明的不同方面相关的本技术的不同方面,其在下文中描述及/或主张。据信,此论述有助于向读者提供背景信息以促进对本发明的各种方面的更好理解。因...
  • 用于输入接收器电路的设备和方法以及用于所述输入接收器电路的接收器掩码与流程
    半导体存储器在很多电子系统中被用于存储在稍后时间可以检索到的数据。由于越来越多地要求电子系统更快、数据容量更大并且消耗功率更少,因此一直在不断开发存取更快、存储数据更多并且使用功率更少的半导体存储器,以满足变化的需要。发展的一部分包含创建用于对半导体存储器进行控制和存取的新规范,所述规范从...
  • 铁电存储器中的数据保持损失筛选的制作方法
    分案申请信息本发明专利申请是申请日为2016年2月16日、申请号为201680008003.7、发明名称为“铁电存储器中的数据保持损失筛选”的发明专利申请案的分案申请。本发明一般来说涉及集成电路电测试,且更明确地说涉及包含潜在地具有弱长期可靠性的铁电单元的集成电路的筛选。常规金属氧化物半导...
  • 存储装置和其多个实体单元纠错方法与流程
    本发明涉及一种存储装置和其操作方法,且尤其涉及一种存储装置和用于存储装置中的多个实体单元纠错的方法。在存储装置的使用中,具有集成在单个芯片中的不同类型存储的多个非易失性存储器(non-volatilememory;nvm)与nvm分别在ecc信息位和ecc奇偶校验位中具有不同数据保持能力和...
  • 存储器控制器、具有存储器控制器的存储器系统以及操作存储器控制器的方法与流程
    相关申请的交叉引用本申请根据35u.s.c.§119(a)要求于2019年11月7日提交的韩国专利申请号10-2019-0141735的优先权,其通过引用以其整体并入本文。本公开的各种实施例涉及一种存储器控制器、具有该存储器控制器的存储器系统以及操作该存储器控制器的方法。更特别地,本公开的实施例涉...
  • 一种基于擦除时间判断NAND Flash对浅擦除处理的方法与流程
    本发明涉及一种基于擦除时间判断nandflash对浅擦除处理的方法,属于存储器。nandflash是非易失性存储器,掉电数据不丢失,体积小,可以实现低价高效的大容量存储,因此受到广泛应用。一片nandflash一般是由许多块(block)组成,每个块(block)又包含许多字线(w...
  • 半导体存储器装置的制作方法
    各种实施方式总体上涉及一种半导体存储器装置,更具体地,涉及一种包括联接到位线的存储器单元阵列的半导体存储器装置。半导体存储器装置可以包括存储器单元阵列和外围电路,存储器单元阵列包括可以存储数据的存储器单元,而外围电路控制存储器单元阵列的操作。存储器单元阵列和外围电路可以联接到传输用于驱动半...
  • 存储设备、存储系统及其操作方法与流程
    对申请的交叉引用本申请要求于2019年11月8日提交的第10-2019-0142181号韩国专利申请的优先权,其主题通过引用被合并于此。本公开涉及存储设备、存储系统以及用于存储设备和/或存储系统的操作方法。包括至少一个非易失性存储器的存储设备可能经历与写入放大相关联的问题。写入放大问题可能...
  • 一种对存储装置实行操作的方法与流程
    本发明涉及存储,尤其涉及对存储装置实行操作的方法。存储器(或称为存储装置)包括易失性存储器和非易失性存储器,非易失性存储器包括rom存储器和flash存储器,而flash存储器包括nor存储器(也称为nor闪存)和nand存储器(也称为nand闪存)。存储器包括存储单元,对于单层单...
  • 半导体存储器装置及其操作方法与流程
    本公开的各种实施方式总体上涉及电子装置,并且更具体地,涉及半导体存储器装置以及操作该半导体存储器装置的方法。通常,存储器装置可以具有在半导体基板上水平地布置串的二维结构,或者具有在半导体基板上垂直地层叠串的三维结构。三维存储器装置可以是被设计为克服二维存储器装置的集成度限制的装置,并且可以...
  • 存储器装置及其操作方法与流程
    本公开总体上涉及一种存储器装置及其操作方法,更具体地,涉及一种具有三维结构的存储器装置及其操作方法。存储器装置可以存储数据并且输出所存储的数据。存储器装置可以被配置为在电源中断时所存储的数据丢失的易失性存储器装置,或者被配置为即使在电源中断时所存储的数据仍被保留的非易失性存储器装置。存储器...
  • 非易失性存储器装置及其写入方法与流程
    本申请要求于2019年11月5日提交到韩国常识产权局的第10-2019-0140134号韩国专利申请的优先权,所述韩国专利申请的公开通过引用包含于此。发明构思的示例实施例涉及非易失性存储器装置、将数据写入非易失性存储器的写入方法以及包括非易失性存储器装置的存储装置。数据比较写入(dcw)方...
  • 储存器写入装置及方法与流程
    本发明是关于储存器操作技术,尤其是关于一种储存器写入装置及方法。静态随机存取储存器(staticrandomaccessmemory;sram)是随机存取储存器的一种。常见的静态随机存取储存器包含多个排列为数组形式的储存器单元,并可藉由字符线(word-line)以及成对的位线(bit-l...
  • 数据传输装置和方法与流程
    本申请要求于2019年11月5日在韩国常识产权局提交的第10-2019-0140135号韩国专利申请的权益,所述韩国专利申请的公开通过引用包含于此。本公开涉及包括集成电路存储器装置的数据传输装置及操作数据传输装置的方法。通常,已经被广泛用于高性能电子系统中的半导体存储器装置在容量和速度方面...
  • 交叉耦合晶体管阈值电压失配补偿以及相关装置、系统及方法与流程
    优先权主张本申请案主张于2019年11月8日提出申请的“交叉耦合晶体管阈值电压失配补偿以及相关装置、系统及方法(cross-coupledtransistorthresholdvoltagemismatchcompensationandrelateddevices,systems,andmetho...
  • 刷新电路及存储器的制作方法
    本发明实施例涉及半导体领域,特别涉及一种刷新电路及存储器。随着半导体存储装置的密度不断增加,存储器单元呈现物理体积缩小、存储电荷减少以及抗噪声容限降低的特点,存储器单元之间的电磁相互作用对存储器单元的影响增大,存储器单元数据丢失的可能性增加。具体地,当存储器单元中某一单行地址的单次开启时间...
  • 存储器装置和包括存储器装置的存储器系统的制作方法
    本申请要求于2019年11月1日在韩国常识产权局提交的第10-2019-0138775号韩国专利申请的优先权的权益,所述韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。本公开涉及存储器装置,更具体地,涉及包括处理元件(pe)的存储器装置以及涉及包括这样的存储器装置的存储器系统。在通常的计算机系统中...
  • 半导体存储器器件的制作方法
    相关申请的交叉引用于2019年11月11日提交的日本专利申请no.2019-203634的公开内容,包括本说明书、附图和摘要,通过整体引用并入本文。本发明涉及半导体存储器器件,并且例如涉及当被应用于具有预解码器的半导体存储器器件时行之有效的技术。在半导体存储器器件中,通常使用以下配置:在该...
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