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发光元件搭载用基板、阵列基板以及发光装置的制作方法

文档序号:24942075发布日期:2021-05-04 11:35
发光元件搭载用基板、阵列基板以及发光装置的制作方法

公开的实施方式涉及发光元件搭载用基板、阵列基板以及发光装置。



背景技术:

以往,已知一种用于向形成于基板上的光波导导入激光的发光装置(例如,参照专利文献1)。

在先技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2009-277833号公报



技术实现要素:

实施方式的一方式所涉及的发光元件搭载用基板具备基台和堤部。所述基台具有作为主面的正面以及背面,在所述正面具有能够搭载发光元件的搭载部,所述堤部被配置于所述正面的周缘部以使得包围所述搭载部。所述正面相对于所述背面以规定的角度倾斜。在所述堤部,在所述正面的周缘部之中所述正面倾斜而所述基台的厚度较薄的部位设置开口部。所述堤部的设置有所述开口部的部位相对于所述背面在与所述正面相同的朝向倾斜。

此外,实施方式的一方式所涉及的阵列基板是连结多个上述记载的发光元件搭载用基板而成。

此外,实施方式的一方式所涉及的发光装置具备:上述记载的发光元件搭载用基板或者阵列基板、以及在所述发光元件搭载用基板或者阵列基板的所述搭载部所搭载的发光元件。

附图说明

图1是实施方式所涉及的发光元件搭载用基板的立体图。

图2是图1所示的a-a线的向视剖视图。

图3是用于说明使用实施方式所涉及的发光元件搭载用基板的状态的图。

图4是实施方式所涉及的阵列基板的立体图。

图5是表示实施方式所涉及的发光元件搭载用基板的一制造工序的立体图。

图6是图5所示的b-b线的向视剖视图。

图7是表示实施方式所涉及的发光元件搭载用基板的一制造工序的俯视图。

图8是表示实施方式所涉及的发光元件搭载用基板的一制造工序的立体图。

图9是图8所示的c-c线的向视剖视图。

图10是表示实施方式所涉及的发光元件搭载用基板的一制造工序的立体图。

图11是表示实施方式所涉及的发光元件搭载用基板中的光轴精度的评价装置的概念图。

具体实施方式

关于现有的发光装置在向光波导照射光的情况下降低光路的传输损耗,存在改善的余地。

实施方式的一方式是鉴于上述情况而提出的,其目的在于,提供一种在向光波导照射光的情况下能够降低光路的传输损耗的发光元件搭载用基板、阵列基板以及发光装置。

以下,参照附图,对本申请公开的发光元件搭载用基板、阵列基板以及发光装置的实施方式进行说明。

<发光元件搭载用基板>

首先,利用图1~图3对实施方式所涉及的发光元件搭载用基板1的概要进行说明。如图1等所示,实施方式所涉及的发光元件搭载用基板1在俯视下为矩形状,具备基台10以及堤部20。并且,发光元件搭载用基板1由基台10和堤部20一体地形成。

基台10在俯视下为矩形状,具有作为两个主面的正面11以及背面12。另外,图1以及图2中为了容易理讲解明,图示了将背面12的法线朝向的方向作为z轴方向的三维的正交坐标系。

正面11相对于背面12倾斜。具体而言,背面12与x轴以及y轴均平行,相对于此,正面11与y轴平行,但相对于x轴倾斜。此外,背面12的法线朝向z轴正方向(或者z轴负方向),相对于此,正面11的法线朝向x轴正方向且z轴正方向(或者x轴负方向且z轴负方向)。

如图2所示,正面11相对于背面12(图2中与背面12平行的假想面s)以规定的角度θ0倾斜。此外,正面11具有:能够搭载发光元件30的中央区域的搭载部11a、和包围该搭载部11a的周缘部11b。

堤部20在俯视下具有矩形状的框形状,沿着正面11的周缘部11b而配置。如图1所示,沿着基台10的各边的而设置的堤部20具有:被配置于x轴正方向侧的第1壁部件21、被配置于x轴负方向侧的第2壁部件22、被配置于y轴正方向侧的第3壁部件23、和被配置于y轴负方向侧的第4壁部件24。

也就是说,第1壁部件21被配置于正面11的周缘部11b之中、正面11倾斜而基台10的厚度较薄的部位,第2壁部件22被配置于周缘部11b之中距背面12最远的部位。

第1壁部件21的外壁面21a与基台10的侧面13为同一平面,由第1壁部件21的外壁面21a和基台10的侧面13形成发光元件搭载用基板1的侧面5。

在第1壁部件21,形成在搭载部11a与外侧之间贯通的开口部25。并且,如图2所示,在搭载部11a上搭载发光元件30,以使得开口部25与发光面30a面对。并且,从发光元件30的发光面30a放射的光穿过开口部25而被放射至外部。

在此,实施方式所涉及的发光元件搭载用基板1的堤部20的第1壁部件21相对于背面12不垂直,向与正面11相同的朝向倾斜。换言之,第1壁部件21的外壁面21a与正面11同样,平行于y轴但与x轴倾斜,外壁面21a的法线朝向x轴正方向且z轴正方向(或者x轴负方向且z轴负方向)。

进而换言之,在图2所示的xz平面剖视图中,正面11以及第1壁部件21的外壁面21a处于倾斜,以使得均随着向x轴正方向前进而下降。另外,外壁面21a相对于背面12以规定的角度θ1倾斜。

由此,能够使开口部25中处于最远离基台10的部位、且与第1壁部件21的外壁面21a相接的角部25a,接近于发光元件30的发光面30a。

也就是说,相较于图2中虚线所示的外壁面21a垂直于背面12的情况下的开口部25的角部e,实施方式的角部25a处于更接近于发光元件30的发光面30a的位置。

由此,能够更大地取得开口部25相对于发光面30a的开口角度,因此能够减小从发光面30a照射的光撞到开口部25的比例。

因此,根据实施方式,能够降低向光波导照射光的情况下光路的传输损耗。该情况下,如图3所示,在从发光元件30向形成于基板60的光波导(未图示)照射光的情况下,能够提高该光波导内的光的折射模式的精度,因此能够减小光路的传输损耗。

此外,在实施方式中,如图2所示,可以开口部25的内表面之中连结于正面11的内表面25b与正面11为同一平面。假如开口部25的内表面25b是与背面12平行的形状,则在正面11与开口部25的内表面25b之间形成折射部、阶梯部。

该情况下,在从发光面30a照射的光穿过开口部25时,被照射的光由于该折射部、阶梯部而进行漫反射,因此发光装置的发光效率下降。

但是,在实施方式中,由于开口部25的内表面25b与背面12为同一平面,在开口部25内没有折射部、阶梯部,因此从发光面30a照射的光没有因这些的折射部、阶梯部而漫反射。因此,根据实施方式,能够在发光装置中维持较高的发光效率。

另外,在开口部25中,与内表面25b面对的内表面(即,与角部25a相接的内表面)可以是从与内表面25b大致平行的角度到与背面12大致平行的角度之间的角度。也就是说,可以与内表面25b以及背面12均不平行。

此外,在实施方式中,如图2等所示,可以第1壁部件21的高度比第2壁部件22高。由此,能够较大地取得第1壁部件21的上端面与基台10的正面11之间的空间,因此能够将开口部25形成得较大。

因此,根据实施方式,即使增大发光元件30的发光面30a的面积,被照射的光也难以撞到第1壁部件21,因此能够提高发光装置的发光效率。

接下来,参照图1~图3,对发光元件搭载用基板1的详细结构进行说明。

基台10以及堤部20包含陶瓷。作为这种陶瓷,例如氧化铝、二氧化硅、莫来石、堇青石、镁橄榄石、氮化铝、氮化硅、碳化硅或者玻璃陶瓷等较为合适。并且,从热传导率高、且热膨胀率接近于发光元件30的这一点出发,优选基台10以及堤部20作为主成分而包含氮化铝(aln)。

在此,所谓“作为主成分而包含氮化铝”,是指基台10以及堤部20包含80质量%以上的氮化铝。在基台10以及堤部20中包含的氮化铝为80质量%以上的情况下,发光元件搭载用基板1的热传导率高,能够使得散热性提高。

进一步,优选基台10以及堤部20包含90质量%以上的氮化铝。通过将氮化铝的含有量设为90质量%以上,由此能够使得基台10以及堤部20的热传导率为150w/mk以上,因此能够实现散热性优异的发光元件搭载用基板1。

实施方式所涉及的发光元件搭载用基板1的基台10和堤部20由陶瓷一体地形成。也就是说,在发光元件搭载用基板1中,在基台10与堤部20之间没有设置由不同种类材料彼此构成且产生较大热阻的界面。

由此,能够减小基台10与堤部20之间的热阻,因此能够从基台10向堤部20有效地传导热量。因此,能够实现散热性高的发光元件搭载用基板1。

如图1所示,在基台10的正面11,设置包含金属的元件用端子15、16。在此,所谓“包含金属”,是指可以部分包含金属以外的例如陶瓷,以下也是同样的意思。

元件用端子15、16至少形成于正面11的搭载部11a。元件用端子15是搭载发光元件30的端子。元件用端子16是搭载于元件用端子15的发光元件30通过接合线等而被连接的端子。

元件用端子15、16包含使金属粉末烧结的金属化膜即可。该金属化膜能够以高强度粘接在构成基台10的陶瓷的表面,因此能够实现可靠性高的发光元件搭载用基板1。

此外,可以在该金属化膜的表面形成ni等的镀膜。还可以在该镀膜的表面设置焊料、au-sn镀膜。

如图2所示,元件用端子15与形成在基台10的内部并延伸至背面12的金属制的过孔导体17电连接。另外,尽管未图示,但是元件用端子16也同样地与形成在基台10的内部并延伸至背面12的金属制的过孔导体17电连接。过孔导体17成为金属粒子经由颈部(neck)以及或者晶界而烧结的构造。

此外,在基台10以及堤部20中使用氮化铝的情况下,元件用端子15、16、过孔导体17中使用的金属化膜可以使用钨(w)、钼(mo)以及它们的合金或者将铜等复合化的金属材料。由此,能够将基台10以及堤部20、元件用端子15、16、过孔导体17同时烧成。

在实施方式中,该过孔导体17可以设置在比第1壁部件21更靠近第2壁部件22的位置。此外,在设置多个过孔导体17的情况下,可以更多地设置在比第1壁部件21更靠近第2壁部件22的位置。

由此,在过孔导体17的热传导率比基台10高的情况下,在搭载发光元件30的正面11与具有向外部散热的功能的背面12之间,在厚部且热阻较大的第2壁部件22侧的部位能够通过过孔导体17有效地传导热量。

此外,在过孔导体17的热传导率比基台10低的情况下,在厚部且热阻较小的第2壁部件22侧的部位与薄部且热阻相对较大的第1壁部件21侧的部位,能够通过过孔导体17取得整体的热传导率的平衡。

另外,过孔导体17可以配置在接近于第2壁部件22的一侧,还可以配置在该第2壁部件22相接的基台10的角部。另外,该情况下,在第1壁部件21侧没有过孔导体17为宜。从能够减小过孔导体17的体积分数这一点出发,作为过孔导体17的直径可以设为200μm以下,优选设为30~100μm以下。

此外,如图2等所示,第2壁部件22的外壁面22a与基台10的另一侧面14为同一平面,由第2壁部件22的外壁面22a与基台10的侧面14形成发光元件搭载用基板1的侧面6。

并且,在实施方式中,该侧面6可以与相反侧的侧面5平行。也就是说,可以基台10的侧面13与侧面14平行,堤部20的外壁面21a与外壁面22a平行。

由此,如图3所示,在侧面5被设置为与基板60的表面60a相接,在侧面6设置散热器50的情况下,能够使该散热器50与基板60平行设置。

也就是说,即使散热器50等的重量物被设置在侧面6,也能够使该重量物相对于硅光子用的基板60的表面60a平行且稳定地配置。

因此,在发光元件30进行驱动,发光元件搭载用基板1发热而产生尺寸的变化的情况下,也能够减小发光元件搭载用基板1中的重心位置的变化。因此,根据实施方式,能够减小来自发光元件30的照射角度的变化。

另外,所谓“第1壁部件21的外壁面21a与第2壁部件22的外壁面22a平行”,并不限于第1壁部件21的外壁面21a的整面与第2壁部件22的外壁面22a的整面平行的情况,也包含第1壁部件21的外壁面21a的局部的区域与第2壁部件22的外壁面22a的局部的区域之间平行的情况。

在此,所谓“局部的区域”,是外壁面21a、22a的50%以上即可,在外壁面21a的局部的区域中也包含开口部25的面积。

此外,在具有开口部25的第1壁部件21,与第2壁部件22平行的部分可以是将开口部25作为中心的区域。进而,第2壁部件22侧的平行的部分在使第1壁部件21向第2壁部件22侧平行移动的情况下形成有开口部25的区域所对应的部分平行即可。

如图3所示,基台10的正面11相对于基板60的表面60a(即,外壁面21a以及侧面13)以规定的角度θ2倾斜。该角度θ2的值根据以下的式(1)来求取。

θ2=θ1-θ0…(1)

并且,在实施方式中,角度θ0以及角度θ1可以满足以下的式(2)、(3)。

θ0=12°±δθ…(2)

θ1=90°±δθ…(3)

在此,在式(2)、(3)中,“±”为复合同序的关系。也就是说,可以设为在正面11相对于背面12从12°的角度变化了±δθ的情况下背面12与外壁面21a所成的角度θ1变化了90°±δθ的角度的形状。也就是说,在实施方式中,外壁面21a相对于背面12的角度θ1的偏离量δθ可以成为与正面11相对于背面12的角度θ0的偏离量δθ联动的形状。

由此,在正面11相对于背面12从12°的角度变化了±δθ的情况下,也能够减小来自发光元件30的光相对于基板60的表面60a的入射角度(即,角度θ2)的偏离。

偏离量δθ可以是使第1壁部件21的外壁面21a与基台10的背面12之间的角度θ1大于90°的正的角度,也可以是使第1壁部件21的外壁面21a与基台10的背面12之间的角度θ1小于90°的负的角度。此外,偏离量δθ以绝对值设为1°以下为宜。

此外,例如是构成硅光子用的发光装置的发光元件搭载用基板1的情况下,规定的角度θ0可以设为5°以上且15°以下,优选设为10°以上且13°以下。

在至此所说明的发光元件搭载用基板1设置图3所示的发光元件30、盖体40以及散热器50,来构成发光装置。

发光元件30例如能够使用激光二极管(也称为半导体激光器)、发光二极管(led:lightemittingdiode)等。实施方式的发光元件搭载用基板1特别作为激光二极管用的基板而有用。

发光元件30被配置为设置在一端面的发光面30a朝向发光元件搭载用基板1的开口部25。发光元件30使用焊料等的导电性接合材料而被接合于搭载部11a上的元件用端子15。此时,通过该导电性接合材料,被设置在发光元件30的下表面的第1电极(未图示)与元件用端子15被电连接。

再有,被设置在发光元件30的上表面的第2电极(未图示)与相邻于元件用端子15的元件用端子16使用接合线(未图示)等被电连接。

另外,包含设置有元件用端子15、16的搭载部11a的正面11可以是平坦面。另一方面,如果能够确保发光元件30的第1电极与元件用端子15相接的状态,则也可以包含搭载部11a的正面11向位于该正面11的上方的空间部弯曲为凸状。

在包含搭载部11a的正面11朝向位于该正面11的上方的空间部弯曲为凸状的情况下,能够抑制从发光元件30出射的光在正面11进行漫反射,因此能够抑制发光装置的发光效率下降。

盖体40式用于密封发光元件30等的被堤部20包围的区域的部件。盖体40经由金属化膜或镀膜等的金属部件而被接合于堤部20的上表面。

作为盖体40的材料,从高热传导性这一点出发,陶瓷(例如氮化铝)或者金属(例如科瓦合金(fe-ni-co合金))、或者陶瓷与金属的复合部件较为合适。

硅光子用的基板60中形成未图示的光波导。并且,从发光装置的发光元件30出射的光在该光波导内在芯体与包层之间的界面进行反射(折射)并且前进,因此优选从发光元件30出射的光相对于光波导的延伸方向在倾斜的方向入射。

在此,由于实施方式的发光元件搭载用基板1能够使发光元件30配置为相对于基板60倾斜,因此能够相对于光波导的延伸方向在倾斜方向稳定地使光入射。

<阵列基板>

接下来,利用图4对实施方式所涉及的阵列基板2进行说明。如图4所示,实施方式所涉及的阵列基板2具有上述的发光元件搭载用基板1被连结多个的构造。

也就是说,阵列基板2具有矩形状的基台10以及堤部20。并且,在基台10,设置多个(图4中为5个)能够搭载发光元件30(参照图2)的搭载部11a。此外,堤部20被设置为包围多个搭载部11a,在该堤部20形成有多个(图4中为5个)与各个搭载部11a对应的开口部25。

在阵列基板2的情况下,也与发光元件搭载用基板1同样,正面11相对于背面12的角度θ0(参照图2)、第1壁部件21的外壁面21a与基台10的背面12之间的角度θ1(参照图2)、以及相对于角度θ0的角度的偏离量δθ可以设为与上述的发光元件搭载用基板1同样。

在实施方式的阵列基板2中,由于形成有全部的开口部25的第1壁部件21相对于背面12在与正面11相同的朝向倾斜,因此能够更大地取得开口部25相对于全部的发光元件30的发光面30a(参照图2)的开口角度。由此,能够减小从全部的发光面30a照射的光撞到开口部25的比例。

因此,根据实施方式,在从多个发光元件30向形成于基板60(参照图3)的多个光波导照射光的情况下,能够提高该多个光波导内的光的折射模式的精度,因此能够减小光路的传输损耗。

<发光元件搭载用基板的制造方法>

接下来,参照图5~图10对实施方式所涉及的发光元件搭载用基板1的制造方法进行说明。在对两片的生片分别实施规定的加工之后,将两片的生片层叠,最后对层叠的成形体进行烧成从而形成发光元件搭载用基板1。

以下,基于图5以及图6来说明两片的生片之中上层的生片70的前半部分的各工序,基于图7~图9来说明下层的生片80的前半部分的各工序。最后,基于图10来说明生片70、80的后半部分的各工序。

如图5的(a)以及图6的(a)所示,准备预先加工成规定形状的生片70。然后,由形成有规定的凹部101a的上模具101和形成有规定的凸部102a的下模具102夹着来对生片70进行加压加热,形成堤部成形体71(图5的(b)以及图6的(b))。

在此,形成于上模具101的凹部101a具有与堤部20的外壁对应的形状,形成于下模具102的凸部102a具有与堤部20的内壁以及开口部25对应的形状。由此,如图5的(b)所示,堤部成形体71具有与堤部20同样的形状。

另外,在对生片70进行加压加热时,如图6的(a)所示,可以使上模具101以及下模具102相对于生片70的主面沿着倾斜方向进行加压。

此外,在所形成的堤部成形体71中,在上述的角度θ0相对于目标角度θ0发生偏离的情况下,可以在成形后对上述的角度θ2进行研磨加工等来进行微调整。由此,将第1壁部件21的外壁面21a与背面12之间的角度θ1设为从直角向正或者负偏离的角度。

接下来,如图7的(a)所示,准备预先加工成规定的形状的生片80。接下来,将生片80的规定的2个位置在俯视下冲压为圆状,分别由过孔导体80a、80b来填埋所冲压出的2个孔部(图7的(b))。

接下来,如图7的(c)所示,在生片80的上表面印刷导体图案80c以使得与过孔导体80a连结,在生片80的上表面印刷导体图案80d以使得与过孔导体80b连结。

然后,如图8的(a)以及图9的(a)所示,由形成有规定的凹部103a的上模具103与平板状的下模具104夹着来对生片80进行加压加热,形成基台成形体81(图8的(b)以及图9的(b))。

在此,形成于上模具103的凹部103a具有与基台10的外形对应的形状。由此,如图8的(b)所示,基台成形体81具有与基台10同样的形状。

此外,在所形成的基台成形体81中,上述的角度θ0相对于目标角度θ0发生偏离的情况下,可以在成形后对上述的角度θ1实施研磨加工等来进行微调整。由此,能够将第1壁部件21的外壁面21a与背面12之间的角度θ1设为从直角向正或者负偏离的角度。

另外,在对生片80进行加压加热时,可以如图9的(a)所示,使上模具103相对于生片80的主面在倾斜方向进行加压。

接下来,如图10的(a)所示,从上方起依次层叠堤部成形体71以及基台成形体81。然后,对该层叠体进行加热加压,形成层叠成形体90(图10的(b))。

在此,导体图案80c、80d是分别与发光元件搭载用基板1的元件用端子16、15对应的部位,过孔导体80a、80b分别是对应于与发光元件搭载用基板1的元件用端子16连接的过孔导体17、与元件用端子15连接的过孔导体17的部位。

然后,在制造工序的最后,以高温(1500℃~1900℃)对如图10的(b)那样形成的层叠成形体90进行烧成,完成发光元件搭载用基板1。

上述的制造工序中使用的生片70、80例如将在作为主原料的氮化铝的粉体中作为烧结助剂而混合包含氧化钇(y2o3)、氧化钙(cao)、氧化铒(er2o3)等的粉体而得到的无机粉体作为基本结构。然后,在该无机粉体中添加混合有机载体而形成浆料状,并且对其使用以往周知的刮刀法或压延辊法,来形成生片70、80。

此外,过孔导体80a、80b、导体图案80c、80d例如由在作为主原料的高熔点金属的钼(mo)、钨(w)中作为共剂而混合氮化铝、有机粘合剂、溶剂等而得到的糊剂来形成。另外,也可以根据陶瓷的烧成温度而使上述高熔点金属含有铜等的低熔点金属。

此外,对于上述的阵列基板2,通过变更上模具101、103以及下模具102、104的形状等也能够同样地制作。

实施例

以下,具体地制作实施方式所涉及的发光元件搭载用基板1等,接下来,制作使用该发光元件搭载用基板1等的发光装置。

首先,作为用于形成生片的混合粉末,调制相对于94质量%氮化铝粉末以5质量%的比例混合氧化钇粉末、以1质量%的比例混合氧化钙粉末而得到混合粉末。

接下来,相对于100质量份的该混合粉末(固含量),作为有机粘合剂添加20质量份的丙烯酸系粘合剂、50质量份的甲苯来调制浆料,接下来,使用刮刀法制作平均厚度为500gm的生片。

此外,在导体图案、过孔导体等的导体的形成中,使用相对于100质量份的钨粉末适当添加20质量份的氮化铝粉末、8质量份的丙烯酸系粘合剂、松油醇而得到的导体糊剂。此外,除了该导体糊剂,也可使用在该导体糊剂中进一步添加0.5质量%的触变剂的导体糊剂、在该导体糊剂中进一步添加1.0质量%的触变剂的导体糊剂。

然后,使用具有上述成分的生片以及导体糊剂,通过图5~图10所示的制造方法来制作层叠成形体90(参照图10的(b))。

接下来,将制作出的层叠成形体90在还原环境中以最高温度为1800℃的条件进行2小时烧成从而制作出发光元件搭载用基板1等。另外,烧成后的形状下,制作出的发光元件搭载用封装a1等的尺寸为宽度2.5mm×长度4.2mm×高度1.0mm。试样数量设为各10个,表1中表示平均值。

接下来,在发光元件搭载用基板1等的搭载部11a安装发光元件30。在此,作为发光元件30,使用振荡波长1080nm、输出3w的半导体激光器元件(宽度0.3mm×长度1.8mm×高度0.15mm),发光元件30向搭载部11a的接合中使用au-sn焊料。

接下来,针对发光元件搭载用基板1等的光轴的精度进行评价。针对该光轴的精度,使用图11所示的这种评价装置进行评价。具体而言,将发光元件搭载用基板1等安装于透明基板110,基于放射至与发光元件30相距3mm的受光器111的放射光来评价光轴的精度。

另外,放射至受光器111的放射光的受光强度分布等由连接于该受光器111的pc(personalcomputer:个人计算机)112来评价。表1中表示评价结果。另外,表1所示的偏离量是将试样1设为零的情况下的相对值。

[表1]

通过角度θ0=13°、θ1=90°、θ2=77°的试样4的发光装置、与角度θ0=12°、θ1=90°、θ2=78°的试样1、角度θ0=13°、θ1=91°、θ2=78°的试样2、角度θ0=11°、θ1=89°、θ2=78°的试样3的发光装置的比较,可知通过设为角度θ2=78°由此光轴的精度得到提高。

另外,表1中作为角度θ0、θ1以及θ2如上述那样作为平均值仅表示一定的值,但是对于试样2、3,所制作出的多个试样之中角度θ0、θ1以及θ2落入-0.5°~+0.5°的范围的试样均是与表1所示的偏离量相同的值。

以上,对本发明的实施方式进行了说明,但是本发明并不限定于上述实施方式,只要不脱离其主旨能够进行各种变更。例如,在上述实施方式中,表示了在硅光子用的基板60设置使用了发光元件搭载用基板1的发光装置的例子,但是也可以使用发光元件搭载用基板1的发光装置被设置在硅光子用以外的基板。

如上述,实施方式所涉及的发光元件搭载用基板1具备:基台10,具有作为主面的正面11以及背面12,在正面11具有能够搭载发光元件30的搭载部11a;堤部20,被配置于正面11的周缘部11b以使得包围搭载部11a。正面11相对于背面12以规定的角度θ0倾斜。在堤部20,在随着基台10的倾斜而厚度变薄的部位(第1壁部件21)设置开口部25。堤部20的设置有开口部25的部位(第1壁部件21)相对于背面12在与正面11相同的朝向倾斜。由此,在从发光元件30向形成于基板60的光波导照射光的情况下,能够提高该光波导内的光的折射模式的精度,能够减小光路的传输损耗。

此外,在实施方式所涉及的发光元件搭载用基板1中,开口部25的内表面之中连接于正面11的内表面25b与正面11为同一平面。由此,发光装置中能够维持较高的发光效率。

此外,在实施方式所涉及的发光元件搭载用基板1中,基台10在俯视下为矩形状,堤部20具有沿着基台10的4边而配置的4个壁部件,4个壁部件之中形成开口部25的第1壁部件21相对于背面12在与正面11相同的朝向倾斜。由此,能够提高发光装置的发光效率。

此外,在实施方式所涉及的发光元件搭载用基板1中,第1壁部件21的高度比面对该第1壁部件21的壁部件即第2壁部件22高。由此,能够提高发光装置的发光效率。

此外,在实施方式所涉及的发光元件搭载用基板1中,第1壁部件21的外壁面21a与第2壁部件22的外壁面21b平行。由此,能够减小来自发光元件30的照射角度的变化。

此外,在实施方式所涉及的发光元件搭载用基板1中,背面12相对于正面11的角度θ0为12°±δθ,第1壁部件21的外壁面21a相对于正面11的角度θ1为90°±δθ。由此,在正面11相对于背面12从12°的角度变化了±δθ的情况下,也能够减小来自发光元件30的光相对于基板60的表面60a的入射角度的偏离。

此外,实施方式所涉及的阵列基板2是上述记载的发光元件搭载用基板1被连结多个而成。由此,在从多个发光元件30向形成于基板60的多个光波导照射光的情况下,能够提高该多个光波导内的光的折射模式的精度,因此能够减小光路的传输损耗。

此外,实施方式所涉及的发光装置具备上述记载的发光元件搭载用基板1或者阵列基板2、在发光元件搭载用基板1或者阵列基板2的搭载部11a搭载的发光元件30。由此,在从发光元件30向形成于基板60的光波导照射光的情况下,能够提高该光波导内的光的折射模式的精度,因此能够减小光路的传输损耗。

能够由本领域技术人员容易导出进一步的效果、其他方式。因此,本发明的更宽的方式并不限定于如上述那样表述且记载的特定的详细内容以及代表性的实施方式。因此,在不脱离由权利要求书及其等同内容所定义的概括性的发明的概念精神或者范围的情况下,能够进行各种变更。

符号说明

1发光元件搭载用基板

2阵列基板

10基台

11正面

11a搭载部

11b周缘部

12背面

13、14侧面

15、16元件用端子

20堤部

21第1壁部件

22第2壁部件

25开口部

25b内表面

30发光元件

30a发光面

40盖体

50散热器

60基板。

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